特許
J-GLOBAL ID：200903065424901202
構造選択型X線吸収分光法及び装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
社本 一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-226184
公開番号（公開出願番号）：特開2001-050911
出願日： 1999年08月10日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：
【要約】【課題】 材料中に存在する局在電子を有する元素のイオン化を静電容量を使ってX線吸収スペクトルを測定することにより、その局在電子を捕獲している特定構造のみのX線吸収分光を可能とする構造選択型X線吸収分光法及び装置。【解決手段】 X線照射器、その照射により局在電子の存在する特定構造の解析が行われる材料、その上に設けられたX線透過性電極、その電極に結合された静電容量計、その容量計に結合された電圧/周波数変換器及びカウンター、並びに前記材料の特定構造中の局在電子を拘束するための試料冷却器から構成され、材料へのX線照射により局在電子を有する元素がイオン化される際に生ずる静電容量の変化に基づいて得られたX線吸収スペクトルを測定することにより、局在電子を捕獲している材料の特定構造のX線吸収分光分析を行うための構造選択型X線吸収分光装置。
請求項（抜粋）：
局在電子が存在する特定構造を有する材料にX線を照射し、その照射により局在電子を有する元素がイオン化される際に生ずる静電容量の変化に基づいて得られたX線吸収スペクトルを測定することにより、局在電子を捕獲している材料の特定構造のX線吸収分光を行う構造選択型X線吸収分光法。
Fターム (13件)：
2G001AA01
, 2G001BA13
, 2G001CA01
, 2G001EA09
, 2G001FA25
, 2G001GA09
, 2G001GA17
, 2G001GA19
, 2G001KA03
, 2G001NA07
, 2G001NA15
, 2G001RA03
, 2G001RA08
