特許

J-GLOBAL ID：200903065425742418

表面処理方法

発明者： 小野 哲郎 ,  徳永 尚文 ,  榎本 裕之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-200656
公開番号（公開出願番号）：特開平9-050984
出願日： 1995年08月07日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：

【要約】【目的】酸化膜などの絶縁膜エッチング中に局所的な帯電で生じる形状異常の発生を防止する。【構成】エッチング中に、絶縁膜あるいはエッチングガスで生じるポリマ膜上に導電層を形成する。【効果】導電層内を電子が移動して孔底の正電荷(イオン)を中和し、イオンの方向を曲げる電界の発生を抑止できる。

請求項（抜粋）：

真空容器内にプラズマを発生させ、容器内に設置した試料台上の絶縁膜をエッチングする方法において、エッチング中に上記絶縁膜表面に導電層を形成しながらエッチングすることを特徴とする表面処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/285 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/302 F ,  C23F 4/00 E ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/285 S ,  H05H 1/46 A