特許

J-GLOBAL ID：200903065426532697

低圧下のシリコン酸化膜及び酸窒化膜形成方法

発明者： 鄭 炳洪 ,  李 正守 ,  李 東根 ,  鄭 佑仁
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-346878
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183055
出願日： 1999年12月06日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 得られる膜質の諸特性が良好で再現性が良い低圧湿式酸化膜及び良い低圧酸窒化膜の形成方法を提供する。【解決手段】 本発明によるシリコン酸化膜形成方法は、シリコン基板を炉中へ引き込んで、炉内部の圧力を760torr以下に維持しながら、O2及びH2ガスを反応させて生成されたH2Oガスを炉中へ注入してシリコン基板を湿式酸化することを特徴とする。また、本発明によるシリコン酸窒化膜形成方法は、シリコン基板を炉中へ引き込んで、炉内部の圧力を760torr以下に維持しながら、NOまたはN2Oガスを炉中へ注入してシリコン基板を酸窒化することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

シリコン基板を炉中へ引き込む段階と、前記炉内部の圧力を760torr未満に維持しながら、O2及びH2ガスを反応させて生成されたH2Oガスを前記炉中へ注入して前記シリコン基板を湿式酸化する段階とを含むことを特徴とするシリコン酸化膜形成方法。

IPC (7件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 21/316 S ,  H01L 21/318 C ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 371