特許
J-GLOBAL ID:200903065427358496

固体撮像素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 尾身 祐助
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-170473
公開番号(公開出願番号):特開平8-018025
出願日: 1994年06月30日
公開日(公表日): 1996年01月19日
要約:
【要約】【目的】 放射線照射によって絶縁膜中に生成される電子/正孔対を速やかに消滅させ、画像に白傷が発生することのないようにする。【構成】 p型ウェル21内にフォトダイオードとなるn型不純物領域13とCCDチャネルとなるn型不純物領域15を形成し、基板上に電荷転送電極41、遮光膜51、第1の絶縁膜31、第2の絶縁膜33、BPSG膜35および第3の絶縁膜37を形成する。BPSG膜35は、高濃度にリンを含む膜であり、電荷転送電極によって形成される段差を埋め込むように形成される。【作用】 BPSG膜35で生成された電子/正孔対はこの膜中に多量に存在する再結合中心によって消滅せしめられる。
請求項(抜粋):
光電変換を行いこれにより得た信号電荷を蓄積しておく複数のフォトダイオードと、前記フォトダイオード内に蓄積された信号電荷を読み出しこれを転送するCCDレジスタと、前記フォトダイオード上に開口を有する遮光膜と、前記遮光膜の下層に形成された第1の絶縁膜と、前記遮光膜の上層に形成された第2の絶縁膜と、を備える固体撮像素子において、前記第1の絶縁膜はリンが故意にドープされてはいない膜を主体としており、前記第2の絶縁膜はリンを高濃度に含有するBPSG膜またはPSG膜を含む膜であり、かつ、前記BPSG膜または前記PSG膜は前記フォトダイオード上に形成された凹みを埋め込んでいることを特徴とする固体撮像素子。
IPC (3件):
H01L 27/148 ,  H01L 21/316 ,  H04N 5/335
引用特許:
審査官引用 (7件)
  • 特開平4-206571
  • 特開平4-206571
  • 特開昭58-225668
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