特許

J-GLOBAL ID：200903065428960831

シリコン窒化膜の成膜方法

発明者： 足立 研
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-138129
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332012
出願日： 1999年05月19日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 膜質の均一性、ステップカバレージに優れ、最表面を疎水化してレジストとの密着性を向上させたシリコン窒化膜を提供すること。【解決手段】 プラズマ化学気相成長法により、反応室2内のウェーハ16上にSiH4 とNH3 とN2 とによって成膜されたシリコン窒化膜の上に、NH3 の供給を停止することによって、SiH4 とN2 によるシリコン窒化膜を成膜させる。

請求項（抜粋）：

SiH4 とNH3 とN2 を反応室内に導入し、プラズマ化学気相成長法により、ウェーハ上にシリコン窒化膜を成膜させるシリコン窒化膜の成膜方法において、前記SiH4 と前記NH3 と前記N2 による成膜の後、この膜の上に、前記NH3 の供給を停止して前記SiH4 と前記N2 による成膜を行うようにしたことを特徴とするシリコン窒化膜の成膜方法。

IPC (3件)：

H01L 21/318 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/50

FI (3件)：

H01L 21/318 B ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/50 D

Fターム (18件)：

4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030JA01 ,  4K030KA17 ,  4K030LA15 ,  5F058BA09 ,  5F058BA10 ,  5F058BD01 ,  5F058BD10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ03