特許

J-GLOBAL ID：200903065436111118

半導体装置の製造方法

発明者： 於久 泰三 ,  山本 仁 ,  藤野 勝裕
出願人/特許権者： 株式会社半導体プロセス研究所 ,  アルキヤンテツク株式会社 ,  キヤノン販売株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-168391
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021400
出願日： 1991年07月09日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】本発明は半導体装置の製造工程におけるアルミニウム又はアルミニウム合金のエッチング方法に関し、ゴミの発生がなく、SiO2やレジストとの選択比が高く、更に高精度にアルミニウムやアルミニウム合金をパターニングすることを可能とする半導体装置の製造方法の提供を目的とする。【構成】塩素系ガスと臭素系ガスを混合したガスによりアルミニウム又はアルミニウム合金をエッチングすることを特徴とし、その混合ガスは、例えば、Cl2, BCl3 , HBr 混合ガス、Cl2,BCl3,BBr3混合ガス、あるいは、Cl2,BBr3混合ガス、または BCl3, HBr 混合ガスである。また、HBr,BBr3混合ガスによりアルミニウム又はアルミニウム合金をエッチングすることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

塩素系ガスと臭素系ガスを混合したガスによりアルミニウム又はアルミニウム合金をエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-199512