特許
J-GLOBAL ID：200903065441802986
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉武 賢次 (外5名)
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2000001664
公開番号（公開出願番号）：WO2000-057462
出願日： 2000年03月17日
公開日（公表日）： 2000年09月28日
要約：
【要約】本発明は、Cuを配線材料として用いる場合に、絶縁膜へのCuの拡散を抑えることができる拡散防止膜を提供することを目的としている。この目的は拡散防止膜を結晶質のWCN膜により形成することにより達成される。このWCN膜は、X線回折において36度以上38度以下の第1の位置と、42度以上44度以下の第2の位置とにピークを有し、第1の位置のピークの半値幅が3.2度以下、第2の位置のピークの半値幅が2.6度以下である。このWCN膜はカバレッジが良好であるので、アスペクト比の高い凹部にも厚いバリア膜を形成することができる。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された絶縁膜と、 前記絶縁膜上に形成された銅からなる配線層と、 前記配線層から絶縁膜へ銅が拡散するのを防止するために、前記絶縁膜と前記配線層との間に形成された銅拡散防止膜と、を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/768
H01L 21/88 Z
, H01L 21/90 J
