特許

J-GLOBAL ID：200903065451514024

半導体レーザ

発明者： 森 義弘 ,  大塚 信之
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-162476
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005975
出願日： 1992年06月22日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 放熱に優れ、高出力動作下でも基本モードが維持され、漏洩電流が低減でき余分な発熱を抑えることが出来、その結果、従来より遥かに高い光出力を安定して出射する半導体レーザを得る。【構成】 活性層101と導波層102の界面或いは導波層中にエッチングストップ層103があり、このエッチングストップ層より上の層はストライプ状のメサに加工される。次いで、メサの側面と前記エッチングストップ層103の表面に、相異なる導電型の薄膜層が交互に積層されて成る電流阻止層107が形成される。エッチングストップ層の厚みは、レーザ光の光強度分布を乱さない程度に薄い。

請求項（抜粋）：

半導体基体上の導波層の表面に形成されたエッチングストップ層の上に、活性層とその上のクラッド層より成るストライプ状のメサが選択的に形成され、前記メサの側面と前記エッチングストップ層の表面に、相異なる導電型の薄膜層が交互に積層されて成る電流阻止層が形成されており、前記エッチングストップ層の厚みが、導波するレーザ光の垂直方向の光強度分布を乱さない程度に薄く、前記導波層の屈折率が前記半導体基体と前記電流阻止層より高いことを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-084985
  
• 特開平2-044792
  
• 特開平3-119777
  
• 特開平4-290485