特許

J-GLOBAL ID：200903065462877781

半導体装置およびその製造方法

発明者： 久本 大 ,  木村 紳一郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-319993
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162285
出願日： 1995年12月08日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】 本発明の目的は、高周波特性にすぐれた受動素子を、小さな面積で実現できる構造を提供することにある。【解決手段】 本発明によれば、半導体基板1上に形成された絶縁膜(シリコン酸化膜900又は層間絶縁膜10)と、そのシリコン酸化膜900上に形成された金属配線層400を有する半導体装置において、その金属配線層400に沿って上記絶縁膜にその金属配線層400の長さに比べ短い複数の開孔100が上記絶縁膜に配置され、その開孔と接続された基板1に空洞150を有し、その空洞150が、金属配線層400下に配置されている。【効果】 金属配線層400下を効果的にエッチング除去することによって半導体基板1内に空洞150が形成でき、レイアウト上の制約が少なく、機械的な強度を容易に確保することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された絶縁膜と、該絶縁層上に形成された配線層を有し半導体装置において、該配線層に沿ってその配線層の長さに比べ短い複数の開孔が該絶縁膜に配置され、該基板に該開孔を通して設けられた空洞を有し、該基板の空洞が、該配線層下に配置されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/90 V ,  H01L 21/302 M ,  H01L 21/90 K