特許

J-GLOBAL ID：200903065465922320

半導体記憶装置

発明者： 椋木 敏夫
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-339200
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156187
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】 過消去の問題を回避し、スプリット型の利点を残しながら、セル面積の増加を最小限に抑える。【解決手段】 MOSトランジスタのチャネル上に、電位供給源に接続されたコントロールゲート20と、周辺と電気的に絶縁され、コントロールゲート20とウエハ面方向に隣接している第1のフローティングゲート1及び第2のフローティングゲート6と、コントロールゲート20下の半導体の基板22中に、半導体の基板22と伝導形の異なる拡散層23を有し、第1のフローティングゲート1と第2のフローティングゲート6への電子の注入・除去によってデータを記憶することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

MOSトランジスタのチャネル上に、電位供給源に接続されたコントロールゲートと、周辺と電気的に絶縁され、かつ前記コントロールゲートとウエハ面方向に隣接している第1のフローティングゲートと、周辺と電気的に絶縁され、かつ前記コントロールゲートとウエハ面方向に隣接している第2のフローティングゲートと、前記コントロールゲート下の半導体基板中に、前記半導体基板と伝導形の異なる拡散領域を有し、前記第1のフローティングゲートおよび第2のフローティングゲートへの電子の注入・除去によってデータを記憶する半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

Fターム (24件)：

5F001AA34 ,  5F001AB03 ,  5F001AD13 ,  5F001AD60 ,  5F001AD62 ,  5F001AE02 ,  5F001AE03 ,  5F001AE08 ,  5F083EP09 ,  5F083EP13 ,  5F083EP24 ,  5F083EP70 ,  5F083ER09 ,  5F083ER15 ,  5F083ER30 ,  5F083GA09 ,  5F101BA16 ,  5F101BB04 ,  5F101BD03 ,  5F101BD35 ,  5F101BD37 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07