特許

J-GLOBAL ID：200903065470114908

パターン形成方法

発明者： 中島 寛幸
出願人/特許権者： 日本合成化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-209316
公開番号（公開出願番号）：特開2001-033985
出願日： 1999年07月23日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】 セラミックス材料によるパターン形成性が良好なパターン形成方法を提供すること。【解決手段】 共重合成分として水酸基含有(メタ)アクリレートを含有してなるベースポリマー(A)、グリセリントリアクリレート類を含有するエチレン性不飽和化合物(B)及び光重合開始剤(C)からなる感光性樹脂組成物(I)層を基板上に形成した後、パターンマスクを介して露光及び現像を行い、該基板上に凹凸のレジストパターンを形成し、次いで、該レジストパターンを150〜250°Cの温度範囲で熱処理した後、該レジストパターンの凹部にセラミック材料を充填し、その後該レジストパターンとセラミックス材料の両者を焼成するか、或いは該レジストパターンを薬液により除去した後、セラミックス材料を焼成するパターン形成方法。

請求項（抜粋）：

共重合成分として水酸基含有(メタ)アクリレートを含有してなるベースポリマー(A)、グリセリントリ(メタ)アクリレート類を含有するエチレン性不飽和化合物(B)及び光重合開始剤(C)からなる感光性樹脂組成物(I)の層を基板上に形成した後、パターンマスクを介して露光及び現像を行い、該基板上に凹凸のレジストパターンを形成し、次いで、該レジストパターンを150〜250°Cの温度範囲で熱処理した後、該レジストパターンの凹部にセラミックス材料を充填し、その後該レジストパターンとセラミックス材料の両者を焼成するか、或いは該レジストパターンを薬液により除去した後、セラミックス材料を焼成することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/40 521 ,  C04B 35/63 ,  G03F 7/027 502

FI (3件)：

G03F 7/40 521 ,  G03F 7/027 502 ,  C04B 35/00 109

Fターム (33件)：

2H025AA03 ,  2H025AB11 ,  2H025AB14 ,  2H025AB20 ,  2H025AC01 ,  2H025AD01 ,  2H025BC13 ,  2H025BC43 ,  2H025BC82 ,  2H025CA00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB43 ,  2H025CB45 ,  2H025DA19 ,  2H025FA28 ,  2H025FA29 ,  2H025FA47 ,  2H096AA28 ,  2H096AA30 ,  2H096BA05 ,  2H096CA16 ,  2H096EA02 ,  2H096GA08 ,  2H096HA01 ,  2H096HA30 ,  4G030AA03 ,  4G030AA16 ,  4G030AA35 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030AA40 ,  4G030GA14 ,  4G030PA21