特許

J-GLOBAL ID：200903065475064283

半導体基板表面の清浄化方法及びその装置

発明者： 中村 稔之
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-159553
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008226
出願日： 1997年06月17日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：

【要約】【課題】 Si基板表面が清浄化され、ミスフィット転位のない歪ヘテロエピタキシャル成長薄膜の成膜を行うことができる半導体基板面の清浄化方法及びその装置を提供する。【解決手段】 化学的気相成長法によって歪ヘテロエピタキシャル成長薄膜の成膜前の基板表面を清浄化する方法において、Si基板101を反応炉内に導入する工程と、前記Si基板101を酸素雰囲気中で熱処理し、このSi基板101表面にSiO2 膜103を形成する工程と、真空中で熱処理を行い、前記SiO2 膜103とともにSi基板101表面の不純物102を昇華させる工程とを施す。

請求項（抜粋）：

化学的気相成長法によって歪ヘテロエピタキシャル成長薄膜の成膜前の基板表面を清浄化する方法において、(a)Si基板を反応炉内に導入する工程と、(b)前記Si基板を酸素雰囲気中で熱処理し、該Si基板表面にSiO2 膜を形成する工程と、(c)真空中で熱処理を行い、前記SiO2 膜とともに前記Si基板表面の不純物を昇華させる工程とを施すことを特徴とする半導体基板表面の清浄化方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/302 N ,  H01L 21/205