延長ゲートFETセンサ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西澤利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-004039
公開番号（公開出願番号）：特開平9-218172
出願日： 1988年02月21日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：

【要約】【課題】水素または水素化合物検知用の高感度FETセンサを提供する。【解決手段】基板(6)上に、水素または水素化合物の分解能を有する金属からなり、ソース・ドレイン電極部の外側に延長された、露出表面を持つゲート電極(13)部と、この延長されたゲート電極(13)部に配設されたマイクロヒータ(14)による加熱手段とが備えられる。

請求項（抜粋）：

基板上に、水素または水素化合物の分解能を有する金属からなり、ソース・ドレイン電極部の外側に延長された、露出表面を持つゲート電極部と、この延長されたゲート電極部に配設されたマイクロヒータ部による加熱手段とが備えられていることを特徴とする水素または水素化合物検知用の延長ゲートFETセンサ。

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