特許

J-GLOBAL ID：200903065479819521

磁気抵抗センサ、磁気ディスクシステム、及び読出し/書込みヘッドアセンブリ

発明者： イーミン・ファイ ,  ダニエル・エイ・ネペラ ,  ドゥルガ・ピー・ラビパティ ,  マルコス・エム・レダーマン
出願人/特許権者： リード-ライト コーポレーション
代理人 (1件)： 梅田 明彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-100147
公開番号（公開出願番号）：特開平11-316918
出願日： 1999年04月07日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：

【要約】【課題】 交換結合SALバイアスの改善【解決手段】 磁気抵抗(MR)感知素子42、磁気抵抗感知素子に接する非磁性層(「スペーサ」)44、磁気抵抗感知素子との間に挟むように非磁性層に接する第1反強磁性(AFM)層46、非磁性層との間に挟むように反強磁性層に接する強磁性軟隣接層(SAL)48、第1反強磁性層との間に挟むようにSALに接する第2反強磁性層58とを有する磁気抵抗センサ56。両反強磁性層は強いピン止め作用を有する。磁気抵抗感知素子は、軟強磁性層を有するアモルファス異方性磁気抵抗(AMR)感知素子、又は多層からなる巨大磁気抵抗(GMR)感知素子であってよい。バイアス機構は磁気抵抗感知素子に関して非対称でも対称でもよい。交換バイアス二重層(AFM/SAL)は、AFM/SAL/AFM/SAL・・・のように多層構造にでき、高抵抗で高い交換磁場が得られるようにSAL層を薄くできる。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗感知素子と、前記磁気抵抗感知素子に接触している非磁性層と、前記磁気抵抗感知素子との間に前記非磁性層を挟むように前記非磁性層に接触している第1反強磁性層と、前記非磁性層との間に前記第1反強磁性層を挟むように前記第1反強磁性層に接触している強磁性軟質隣接層と、前記第1反強磁性層との間に前記軟質隣接層を挟むように前記軟質隣接層に接触している第2反強磁性層とを有することを特徴とする磁気抵抗センサ。