特許

J-GLOBAL ID：200903065480164997

固体撮像素子とその製造方法

発明者： 福所 孝
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-356902
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164522
出願日： 2000年11月24日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】 固体撮像素子の感度の向上、低スミア化、暗電流の低減、画像欠陥の減少及び擬似信号である梨地ムラやフレアーの抑制を図る。【解決手段】遮光膜10の各受光素子4に対応する開口11下に、シリコン半導体基板1の表面部に形成された該開口11と対応する受光素子4表面を露出させ、該遮光膜10上にシリコンナイトライド膜20を各開口11に露出する各受光素子4表面を直接覆うように形成してなる。

請求項（抜粋）：

表面部に受光素子を複数互いに離間して配設したシリコンからなる半導体基板上にいくつかの層を介して形成した遮光膜に各受光素子に外部からの光を通す開口を形成した固体撮像素子において、上記各開口下に上記各受光素子の表面が露出するようにされ、上記遮光膜上と、上記各開口に露出する各受光素子表面を直接覆うシリコンナイトライド膜が形成されたことを特徴とする固体撮像素子。

IPC (3件)：

H01L 27/14 ,  H01L 27/148 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 D ,  H01L 27/14 B

Fターム (19件)：

4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA32 ,  4M118DA03 ,  4M118DA28 ,  4M118FA06 ,  4M118FA35 ,  4M118GB11 ,  4M118GB20 ,  5C024CX00 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024EX42 ,  5C024GY01 ,  5C024GZ36