特許
J-GLOBAL ID：200903065481013291
半導体材料支持体上へのレリーフ構造の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 恵一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-333646
公開番号（公開出願番号）：特開平7-215800
出願日： 1994年12月16日
公開日（公表日）： 1995年08月15日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 半導体基板上にバイナリ光学素子等、光の波長程度の微細なレリーフ構造を製造する方法を提供する。【構成】 半導体基板が単結晶の場合は主結晶平面にほぼ平行な、また多結晶の場合は全結晶粒中の同一指数の結晶平面にやや傾斜した、平坦面をもつウエハ1に対し、まずこの平坦面に水素又は希ガスのイオンを注入してウエハ内にガス状微細気泡領域を特定の位置に形成して所望の形状を規定する。イオン注入中のウエハ1の温度は注入で生じたガスが拡散により半導体外に逃げ出さないような低い温度を維持する。気泡領域はイオンの注入エネルギーに応じた深さに生じ、この気泡領域を境にウエハの表面側に薄膜状のレリーフ構造が、底面側に反転レリーフ構造が形成される。そこで、つぎにウエハ表面側に補強材11を結合させる。最後に適当な温度でウエハ1を熱処理すると、気泡領域から二分されて補強されたレリーフ構造と反転レリーフ構造とが得られる。
請求項（抜粋）：
半導体材料が単結晶である場合は主結晶平面にほぼ平行であり、半導体材料が多結晶である場合は全ての結晶粒について同一指数の結晶平面にやや傾斜している平坦な面(2、21)を有する半導体材料のウエハ(1、20)に対して、イオン(3、8、22)による前記ウエハの前記平坦な面への衝突によってインプラントしガス状微細気泡の領域(4〜7、29)を生成する第1の段階であって、該全ての領域が前記ウエハ内にある形状を規定しており、各領域が、前記平坦な面に関して、当該領域に対向する面の表面で受け取ったイオンのインプランテーションエネルギに応じた深さに位置すると共に前記表面と同じ幾何学的配置となっており、前記ある形状が前記平坦な面側では薄膜を構成しているウエハの上側部分(9、30)を前記平坦な面の反対側では基板の大部分を構成している下側部分(19、31)を規定しており、前記イオンが水素ガスイオン又は希ガスイオンから選ばれ、インプランテーション中のウエハ温度がインプラントされたイオンによって生じるガスが拡散によって半導体から逃げることができる温度より低く維持される前記第1の段階と、前記ウエハの前記平坦な面(2、21)を少なくとも1つの剛性材料層から構成される補強材(11、32)と結合させる第2の段階と、前記ウエハ及び補強材から構成されるアセンブリを、前記ある形状に沿った前記薄膜と前記基板の大部分との分離を生じせしめるのに適切な温度で熱処理し、該分離によって前記薄膜上にレリーフ構造を前記基板上に反転レリーフ構造を形成する第3の段階と、の3段階の処理を行うことを特徴とする半導体材料支持体上へのレリーフ構造の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 33/00
, G02B 5/00
, H01L 21/265
