特許
J-GLOBAL ID：200903065483359292
ドライエツチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-301823
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144775
出願日： 1991年11月18日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【構成】 液晶表示装置の製造プロセスにおいて、基板表面に半導体薄膜、絶縁体薄膜、あるいは金属薄膜をそれぞれ形成し、各薄膜上にフォトレジストを塗布し、露光、および現像を行ってパターニングする。次に、ドライエッチング装置を用いて、エッチングを行う(P2)ことにより、上記薄膜を所定の形状に形成した後、上記基板をフッ酸を含む水溶液に浸漬する(P3)。【効果】 ドライエッチングを行った際に、基板の裏面に付着した反応生成物が、フッ酸を含む水溶液によって容易に除去されるため、後続のウエットエッチングプロセスにより熱履歴を受けた場合でも、基板裏面のエッチングレイトに局所性が生じることはない。したがって、基板の白濁を防ぎ、表示品位の優れた液晶表示装置を、プロセスの複雑化や、生産コストの上昇を招来することなく、簡便に作製することができる。
請求項（抜粋）：
基板表面に形成された薄膜を、ドライエッチング装置を用いてエッチングし、上記薄膜を所定の形状に形成した後、上記基板をフッ酸を含む水溶液に浸漬することを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, H01L 21/304 341
, H01L 21/306
