特許

J-GLOBAL ID：200903065491198044

プラズマ処理装置及び処理方法

発明者： 木村 忠司 ,  川瀬 透 ,  吉田 善一 ,  水口 信一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-277934
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135093
出願日： 1993年11月08日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：

【要約】【目的】 高密度のプラズマで大面積の基板でも均一に処理することのできるプラズマ処理装置及び処理方法を提供する。【構成】 真空排気手段と反応ガス導入口14とを有する真空保持可能な真空容器11に、マイクロ波を輸送するための同軸導波管の一端を接続する。この場合、同軸管15aと同軸管15bとにより小径の第1の同軸導波管を形成し、同軸管15bと同軸管15cとにより大径の第2の同軸導波管を形成する。第1及び第2の同軸導波管の他端にはマイクロ波の矩形導波管17a、17bを各々接続する。

請求項（抜粋）：

真空排気手段と反応ガス導入手段とを有する真空容器と、前記真空容器内に設けられた被処理基板保持手段と、前記真空容器に接続され、中心導体と同心状に配置された複数個の外側導体とにより形成された複数の同軸導波管と、前記同軸導波管を封止する絶縁物と、前記複数の同軸導波管に各々高周波電力を導入する手段とを少なくとも備えたプラズマ処理装置。

IPC (7件)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/31 C