特許

J-GLOBAL ID：200903065498344410

磁性薄膜の欠陥分析方法

発明者： ジィアン-ピン ワン ,  タン リー ペン ,  リュー ユン フック,トーマス
出願人/特許権者： データ、ストレージ、インスティテュート
代理人 (1件)： 三枝 英二 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-238654
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114040
出願日： 1999年08月25日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】欠陥についての種々の情報を効率良く集めることを可能にする、磁性薄膜における欠陥分析方法を提供すること。【解決手段】磁性薄膜に磁場を付与すること;異なる磁場強度の範囲にわたって、磁性薄膜の磁化を測定すること;測定した磁化から磁性薄膜の磁気硬度係数の代表値を計算すること;計算値を参照値と比較すること;及び行われた該比較に依存して欠陥情報を決定すること:を含む磁性薄膜の欠陥分析方法。

請求項（抜粋）：

磁性薄膜に磁場を付与すること;異なる磁場強度の範囲にわたって、磁性薄膜の磁化を測定すること;測定した磁化から磁性薄膜の磁気硬度係数の代表値を計算すること;計算値を参照値と比較すること;及び行われた該比較に依存して欠陥情報を決定すること:を含む磁性薄膜の欠陥分析方法。