特許

J-GLOBAL ID：200903065498733930

プラズマエッチング方法

発明者： 篠原 啓二
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-128595
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335625
出願日： 1994年06月10日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】 酸化シリコン系の層間絶縁膜に開口する接続孔側壁のテーパー角度を任意な一定値に制御することができる、プラズマエッチング方法を提供する。【構成】 エッチング初期におけるCOの発光スペクトル強度値に基づき、エッチング性ガスと堆積性ガスの混合比の設定にフィードバックをかける。【効果】 層間絶縁膜3の露出面積や膜質にかかわりなく、側壁保護膜の形成を常に最適条件に設定でき、順テーパ状の接続孔7の形成が可能となる。フィードバックを複数回行えば制御性が向上する。

請求項（抜粋）：

酸化シリコン系材料層からなる被エッチング層上に少なくとも接続孔形成用のレジストマスクを形成する工程、エッチング性ガスと堆積性ガスを含む混合ガスにより、該被エッチング層をCOに起因する発光スペクトル強度をモニタしつつエッチングする工程、上記発光スペクトル強度のモニタ値にもとづき、上記エッチング性ガスと堆積性ガスの混合比を制御しつつ、該被エッチング層をさらにエッチングする工程を有することを特徴とする、プラズマエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213

FI (4件)：

H01L 21/302 M ,  H01L 21/302 E ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/88 D