固体撮像素子およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小栗昌平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-120673
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318385
出願日： 2002年04月23日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：

【要約】【課題】電荷転送電極間の電気的耐圧を劣化させることなく、低抵抗化を図り、高速転送が可能で低消費電力の固体撮像素子を提供する。【解決手段】シリコン基板1表面には、第1の絶縁膜2が形成され、第1の絶縁膜2表面には、酸化シリコン膜からなる電極間絶縁膜3と第1層の電荷転送電極40が形成され、電極間絶縁膜3の間には、第2層の電荷転送電極50が形成される。第1層の電荷転送電極40は、高濃度ドープされた多結晶シリコン膜4aとタングステンシリサイド膜4bとの2層構造の導電性膜からなり、第2層の電荷転送電極50は、高濃度ドープされた多結晶シリコン5aとタングステンシリサイド膜5bとの2層構造の導電性膜からなる。電極間絶縁膜3は、第1層の電荷転送電極40の側壁から成膜されるものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面の絶縁膜上に、複数の電荷転送電極が形成された固体撮像素子であって、前記電荷転送電極は、金属を含む導電性膜を含むものであり、隣接する前記電荷転送電極は、電極間絶縁膜によって分離されるとともに、境界近傍において、一方の電荷転送電極の上方に他方の電荷転送電極が重なっており、前記電極間絶縁膜は、隣接する前記電荷転送電極の一方の側壁から成膜された絶縁膜を含むものである固体撮像素子。

IPC (2件)：

H01L 27/148 , H04N 5/335

FI (3件)：

H04N 5/335 F , H04N 5/335 U , H01L 27/14 B

Fターム (18件)：

4M118BA10 , 4M118BA13 , 4M118CA02 , 4M118CA03 , 4M118CA04 , 4M118CA20 , 4M118CA32 , 4M118DA03 , 4M118DA18 , 4M118DA20 , 4M118EA06 , 4M118EA17 , 4M118EA20 , 4M118FA06 , 5C024CY42 , 5C024CY47 , 5C024EX43 , 5C024GX22

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