固体撮像素子とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾川秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-280758
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112453
出願日： 1992年09月25日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】固体撮像素子の受光素子の界面準位を低くし且つスミアを小さくする。【構成】表面を覆うプラズマシリコン窒化膜のシリコンの窒素に対する組成比を化学量論的に安定な値0.75よりも小さく、即ち窒素リッチにする。【効果】アニールにより水素の脱離可能なN-H結合が増えるので、水素により半導体基板表面のダングリングボンドを充分にターミートすることができ、界面準位を低くできる。従って、暗電流を小さくできる。

請求項（抜粋）：

各画素を成す受光素子上及び遮光膜上をプラズマシリコン窒化膜により保護してなる固体撮像素子において、プラズマシリコン窒化膜のシリコンの窒素に対する組成比が0.75よりも小さいことを特徴とする固体撮像素子

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平3-200367
特開昭57-035327
特開平2-162773

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