特許
J-GLOBAL ID：200903065502814389
薄膜トランジスタおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
南野 貞男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-253424
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206468
出願日： 1992年08月31日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】 素子面積を小さくしても焼損が生じにくく、その特性が均一化できる構造の薄膜トランジスタと、その薄膜トランジスタを歩留まりを高く製造する製造方法を提供する。【構成】 薄膜トランジスタは、絶縁性基板(1)と、前記絶縁性基板(1)上に形成された熱伝導率が前記絶縁性基板よりも大きな熱導伝層(2)と、前記熱導伝層(2)の上に形成された半導体活性領域の島状多結晶シリコン層(6)と、前記島状多結晶シリコン層の表面に絶縁層を介して形成されたゲート電極(7)と、前記半導体活性領域の島状多結晶シリコン層(6)に形成されたソース電極およびドレイン電極とから構成される。島状半導体活性領域から発生する熱、また、製造工程において加えられる熱は、絶縁性基板(1)上に形成された熱導伝層(2)内を絶縁性基板(1)と平行な方向に伝達されて放熱される。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に形成された熱伝導率が前記絶縁性基板よりも大きな熱導伝層と、前記熱導伝層の上に形成された半導体活性領域の島状多結晶シリコン層と、前記島状多結晶シリコン層の表面に絶縁層を介して形成されたゲート電極と、前記半導体活性領域の島状多結晶シリコン層に形成されたソース領域およびドレイン領域とから構成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/784
, G02F 1/136 500
