特許

J-GLOBAL ID：200903065505023307

薄膜磁気ヘッドおよびその製法

発明者： 児玉 諭
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-176893
公開番号（公開出願番号）：特開平6-020230
出願日： 1992年07月03日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】 磁性膜の成膜時やアニール処理のときの温度上昇に耐えられる絶縁層を形成する。【構成】 薄膜磁気ヘッドの絶縁層にフォトレジストの代わりに有機シリコーン樹脂を使用する。350°Cの加熱硬化後フレオンと酸素のプラズマにより絶縁層形状にシリコーン樹脂をパターニングして使用する。その際ギャップ薄膜の上にそのギャップ薄膜とはエッチング特性の異なる保護犠牲層を成膜してから、絶縁層の形成(シリコーンのエッチング)を行なうとよい。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された上下薄膜磁気コアと、薄膜導体コイルと、ギャップ薄膜と、前記コイルと磁気コアとを電気的に絶縁する絶縁層とを有する薄膜磁気ヘッドであって、前記絶縁層がシリコンと酸素と炭素を主成分とするラダー構造の有機シリコーン樹脂からなり、エッチング用のマスクにフォトレジストが使用され、CF4、SF6およびCHF3からなる群より選ばれた少なくとも一種を含むフレオン類と酸素のプラズマにより絶縁層形状にエッチングにより形成され、そののちマスクのフォトレジストがアッシングにより除去されてなることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。