特許
J-GLOBAL ID：200903065506804124
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-176791
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021467
出願日： 1992年07月03日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、ゲート電極の材質を変更することなく容易にしきい値電圧を制御し得るとともに高集積化に適した半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明は、上記目的を達成するために、p型単結晶シリコン基板1が内側面と外側面とを有する円筒部2を備えるように構成し、円筒部2の内側面と外側面とにそれぞれ第1ゲート電極8と第2ゲート電極10とを配置する。そして、円筒部の上端部と円筒部の内部底面にそれぞれソース/ドレイン領域5および3を形成する。
請求項（抜粋）：
内側面と外側面とを有し、筒状に延びた立壁部を有する第1導電型の半導体基板と、前記立壁部の内側面上に第1のゲート絶縁膜を介して形成された筒状の第1のゲート電極と、前記立壁部の外側面上に第2のゲート絶縁膜を介して形成された筒状の第2のゲート電極と、前記立壁部の上端部に形成された第2導電型の第1のソース/ドレイン領域と、前記立壁部の内側面によって囲まれる前記半導体基板の底面部表面に形成された第2導電型の第2のソース/ドレイン領域とを備えた、半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 321 V
, H01L 29/78 321 X
