特許
J-GLOBAL ID:200903065509162611
半導体発光素子
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
石井 陽一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-204432
公開番号(公開出願番号):特開2000-022205
出願日: 1998年07月03日
公開日(公表日): 2000年01月21日
要約:
【要約】【課題】 効率が改善され、動作電圧が低く、設計の自由度が大きく、しかも信頼性の増大した新規の改良された半導体発光素子を提供する。【解決手段】 基板1上に、少なくとも無機物層4とホール輸送性の有機物層5が積層された構造体を有し、前記無機物層4は有ウルツァイト型結晶構造を有する酸化物膜および/またはウルツァイト型結晶構造を有する窒化物膜および/またはウルツァイト型結晶構造を有する硫化物膜である半導体発光素子とした。
請求項(抜粋):
基板上に、少なくとも無機物層とホール輸送性の有機物層が積層された構造体を有し、前記無機物層は有ウルツァイト型結晶構造を有する酸化物膜および/またはウルツァイト型結晶構造を有する窒化物膜および/またはウルツァイト型結晶構造を有する硫化物膜である半導体発光素子。
IPC (2件):
FI (3件):
H01L 33/00 A
, H01L 33/00 C
, H01S 3/18
Fターム (5件):
5F041CA23
, 5F041CA33
, 5F041CA45
, 5F041CA46
, 5F073CA24
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