特許

J-GLOBAL ID：200903065512911463

薄膜半導体装置の製造方法及びそれを用いたアクティブマトリクス基板

発明者： 小川 和宏 ,  望月 康弘
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-074925
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190569
出願日： 1991年04月08日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【目的】特性のばらつきが小さく、再現性・信頼性に優れた薄膜半導体装置をレーザアニールプロセスを利用して製造する方法を提供する。【構成】ガラス基板上にクロム膜等によりゲート電極を形成した後、プラズマCVD法で窒化シリコン膜,水素化非晶質シリコン膜,n型シリコン膜を順次連続形成する。その後、XeClエキシマレーザを140mJ/cm2 のエネルギー強度で照射した後、クロム膜やアルミニウム膜等でソース・ドレイン電極を形成する。前記電極形成後、チャネル部が形成される上部のn型シリコン膜を選択除去し、パッシベーション膜を全面に被着形成することで特性のばらつきが小さく、再現性に優れた薄膜半導体装置が製造できる。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上にゲート電極を形成する工程と、ゲート絶縁膜及び半導体薄膜並びに高濃度不純物層を順次連続形成する工程と、前記半導体薄膜及び高濃度不純物層を島状加工する工程と、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、パッシベーション膜を形成する工程から成る逆スタガ構造薄膜半導体装置の製造方法において、ゲート絶縁膜,半導体薄膜,高濃度不純物層を順次連続形成した後、前記薄膜にレーザ光を照射することを特徴とした薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  G02F 1/13 101 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12