特許
J-GLOBAL ID：200903065520637150
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-247843
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106227
出願日： 1993年10月04日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：
【要約】【目的】 ステップ アンド リピータを用いた目合わせ露光に用いる位相シフトマスクのパターン配置設計を容易にし、かつマスク作成期間を短縮する。【構成】 多重露光を行う工程において、第1のフォトマスクにはあらかじめ必要な微細線幅の位相シフタ部111と遮光部101を配置しておき、第2のフォトマスクは、第1のフォトマスクによって形成された所望の微細パターンの位置に第1の遮光部102aを配置することにより、第1のフォトマスクの所望の微細パターンを選択露光する。また、選択した第1のフォトマスクによる所望の微細パターンは、第2のフォトマスクの第2の遮光部102bで形成される端縁パターンで接続する。
請求項（抜粋）：
微細パターン形成工程と、微細パターン選択工程とを有し、微細線幅の微細パターンと幅広の端縁パターンとの組合せからなる平面パターンを基板のレジスト上に多重露光により形成する半導体装置の製造方法であって、多重露光用の第1のフォトマスクと第2のフォトマスクとを備えており、第1のフォトマスクは、微細パターン形成工程に用いられるものであり、位相シフタ部と遮光部とを有し、位相シフタ部は、レジスト上に形成される微細線幅の微細パターンの形状に露光光を整形するものであり、形成すべき微細パターンのピッチに対応して並列に複数配置されており、遮光部は、レジスト上の微細パターンの少なくとも一側に確保すべき面積をもつ未露光領域の形状に整形されて位相シフタ部に接続して配置されたものであり、第2のフォトマスクは、微細パターン選択工程に用いられるものであり、2つの遮光部を有し、第1の遮光部は、前記平面パターンのうち微細パターンを覆って遮光する形状に整形されたものであり、第2の遮光部は、前記平面パターンのうち端縁パターンの形状に倣って整形されたものであり、微細パターン形成工程は、基板のレジスト上に第1のフォトマスクを通して露光光を照射し、該基板のレジスト上に微細線幅の微細パターンを並列に複数形成するとともに、該微細パターンに接続された未露光領域を確保する工程であり、微細パターン選択工程は、微細パターン形成工程を経た基板のレジスト上の使用すべき特定の微細パターンを第2のフォトマスクの第1の遮光部で被覆し、かつ該基板のレジスト上に確保された未露光領域の一部を第2のフォトマスクの第2の遮光部で被覆して露光を行い、第2のフォトマスクで遮光された領域を前記平面パターンとして残し、その他の領域のレジストパターンを消失させる工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 502 C
, H01L 21/30 528
