タングステンシリサイド膜を形成する方法、および金属-絶縁膜-半導体型トランジスタを製造する方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-279609
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110750
出願日： 1999年09月30日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】アニール前後における膜厚の差が小さいWSi膜を形成する方法、および金属-絶縁膜-半導体型トランジスタを製造する方法を提供する。【解決手段】 WSi膜を形成する方法は、(1)WF6およびSi2H2Cl2を含む原料ガスを用いる化学的気相成長法によってSiおよびWを主要構成元素としヘキサゴナル結晶相を有する堆積膜6を形成し、(2)堆積膜6が形成された基板2をアンモニア雰囲気中においてアニールを行いWSi膜を形成する、各ステップを備える。また、(2)のステップに代えて、(3)WF6およびSi2H2Cl2を含む原料ガスを用いて550°Cを越えるステージ温度においてCVD法によりSiおよびWを主要構成元素とする堆積膜6を形成するステップを備えることもできる。ヘキサゴナル相の形成または高温成膜によって、WSix膜におけるx値を適切な値にできるので、アニール前後においてWSi膜の厚さの変化が小さい。

請求項（抜粋）：

基板の主面に設けられたシリコン半導体領域上にタングステンシリサイド膜を形成する方法であって、WF6およびSi2H2Cl2を含む原料ガスを用いる化学的気相成長法によってシリコンおよびタングステンを主要構成元素とするヘキサゴナル結晶相を含む堆積膜を形成するステップと、前記堆積膜が形成された前記基板をアンモニア雰囲気中においてアニールし、タングステンシリサイド膜を形成するステップと、を備える方法。

IPC (6件)：

H01L 21/285 , H01L 21/285 301 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 29/43 , H01L 29/78

FI (6件)：

H01L 21/285 C , H01L 21/285 301 T , H01L 21/28 301 D , H01L 21/88 Q , H01L 29/62 G , H01L 29/78 301 G

Fターム (60件)：

4M104BB01 , 4M104BB28 , 4M104BB37 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD23 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 4M104DD80 , 4M104DD86 , 4M104DD89 , 4M104FF13 , 4M104FF14 , 4M104FF22 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH16 , 4M104HH20 , 5F033HH03 , 5F033HH04 , 5F033HH05 , 5F033HH11 , 5F033HH23 , 5F033HH28 , 5F033JJ19 , 5F033JJ23 , 5F033KK01 , 5F033LL04 , 5F033LL07 , 5F033MM07 , 5F033MM08 , 5F033NN06 , 5F033PP01 , 5F033PP04 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ19 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033QQ78 , 5F033QQ82 , 5F033QQ94 , 5F033RR06 , 5F033RR15 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033VV06 , 5F033WW03 , 5F033XX00 , 5F033XX10 , 5F040DC01 , 5F040EC01 , 5F040EC07 , 5F040EC13 , 5F040FC19

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