特許
J-GLOBAL ID：200903065523286480
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-000355
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182882
出願日： 1992年01月06日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：
【要約】【目的】半導体装置の製造方法に関し、異なる特性又は異なる構造の複数の素子群を備えた半導体装置を製造する際に、マスクの枚数を低減して半導体装置の製造コストを低減できることを目的とする。【構成】特性又は構造が異なる素子2,3のレイアウトデータに基づき、両素子パターン4,5を形成したパターニング用マスク6、素子3の遮蔽パターン7を備えるエリア指定用マスク8及び素子2の遮蔽パターン9を備えるエリア指定用マスク10を作成する。素子2はマスク6,8を用いてレジスト11を露光して素子パターン4をパターニングし、レジスト11をマスクとして製造条件を変更して形成する。素子3はマスク6,10を用いてレジスト12を露光して素子パターン5をパターニングし、レジスト12をマスクとして製造条件を変更して形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に異なる特性又は異なる構造の複数の素子(2,3)群を形成するようにした半導体装置の製造方法において、複数の素子群の素子パターンを同一マスク上に形成した複数のパターニング用マスク(6)を用意するとともに、同一特性又は同一構造の素子群(2,3)毎に各素子群が形成される領域を指定するためのエリア指定用マスク(8,10)を用意し、前記複数のパターニング用マスク(6)のうちいずれか1つのパターニング用マスクと、前記複数のエリア指定用マスク(8,10)のうちいずれか1つのエリア指定用マスクとを用いて半導体基板上に設けたレジスト(11,12)を露光してパターニングを行い、パターニングした各レジスト(11,12)をマスクとして製造条件を変更することにより各素子群(2,3)を形成するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 1/00
, G03F 7/20 521
