特許

J-GLOBAL ID：200903065523637975

半導体装置

発明者： 山中 哲夫 ,  秋月 伸也 ,  佐圓 元
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-084656
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251590
出願日： 1992年03月05日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【構成】 半導体素子と、これを封止する封止樹脂層とを備えた半導体装置である。そして、上記封止樹脂層が、下記の特性(A)〜(C)を有する熱硬化性樹脂組成物硬化体によって構成されている。(A)熱硬化性樹脂組成物硬化体の体積抵抗率が、温度200°Cで5×1011Ω・cm以上または温度250°Cで2×1010Ω・cm以上。(B)熱硬化性樹脂組成物硬化体のイオン移動度が、温度250°Cで1×10-8cm2 /V・s以下。(C)熱硬化性樹脂組成物硬化体の160°C,20時間における抽出水のイオン性不純物含有量が100ppm以下。【効果】 プレッシャークッカーテスト等で評価される特性が向上して長寿命になり、従来のイオン性不純物の低減のみでは得られ難かった高い耐湿信頼性を備えている。

請求項（抜粋）：

半導体素子と、これを封止する封止樹脂層とを備え、上記封止樹脂層が、下記の特性(A)〜(C)を有する熱硬化性樹脂組成物硬化体によって構成されていることを特徴とする半導体装置。(A)熱硬化性樹脂組成物硬化体の体積抵抗率が、温度200°Cで5×1011Ω・cm以上または温度250°Cで2×1010Ω・cm以上。(B)熱硬化性樹脂組成物硬化体のイオン移動度が、温度250°Cで1×10-8cm2 /V・s以下。(C)熱硬化性樹脂組成物硬化体の160°C,20時間における抽出水のイオン性不純物含有量が100ppm以下。

IPC (3件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08G 59/18 NKK

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-273020
  
• 特開昭62-207355