特許
J-GLOBAL ID：200903065527562619
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-138749
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335568
出願日： 1992年05月29日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【目的】 埋込み不純物層によるソース・ドレイン拡散層のジャンクション容量の増加を抑制することができ、高速化及び高集積化が可能な半導体装置を提供すること。【構成】 p型シリコン基板11上にゲート酸化膜13を介して設けられたゲート電極14と、基板11のチャネル領域下部に設けられ、基板11よりも高い不純物濃度を有するp+ 型の埋込み不純物層12と、チャネル領域を挟んで設けられたn+ 型のソース・ドレイン拡散層とを備えた半導体装置において、ソース・ドレイン拡散層を、チャネル領域に接する第1の拡散層15及びその外側の第2の拡散層17から形成し、且つ第1の拡散層15のpn接合の深さを埋込み不純物層12の深さよりも浅くし、第2の拡散層17のpn接合の深さを埋込み不純物層12の深さよりも深く形成したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、前記基板のチャネル領域下部に設けられ、該基板よりも高い不純物濃度を有する第1導電型の埋込み不純物層と、前記チャネル領域を挟んで設けられ、該チャネル領域に接する第1の拡散層及びその外側の第2の拡散層からなる第2導電型のソース・ドレイン拡散層とを具備し、第1の拡散層のpn接合の深さは前記埋込み不純物層の深さよりも浅く、第2の拡散層のpn接合の深さは前記埋込み不純物層の深さと同じ又はそれよりも深いことを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 301 S
, H01L 29/78 301 H
