特許
J-GLOBAL ID:200903065529226888

金属炭化膜の作製方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 押田 良久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-339438
公開番号(公開出願番号):特開平8-188882
出願日: 1994年12月29日
公開日(公表日): 1996年07月23日
要約:
【要約】【目的】 基体自身の特性を損なうことなく、密着性に優れた均一な金属炭化膜を形成する手段の提供。【構成】 基体上に金属層と有機物絶縁体からなる有機層を積層し、絶縁体の絶縁破壊を励起すべく高電界を印加しながら、高圧力を加える。有機絶縁体としては、室温で固体のポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリプタジェン等の炭化水素系化合物の重合体等を用いる。。
請求項(抜粋):
基体上に、金属層と有機物絶縁体からなる有機層とを交互に少なくとも一回繰返して積層し、積層方向に高圧力を加えつつ、有機層に電界を印加して金属炭化膜を形成することを特徴とする金属炭化膜の作製方法。
IPC (2件):
C23C 28/00 ,  C23C 26/00

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