特許

J-GLOBAL ID：200903065531150066

マグネシウム・ニッケル合金薄膜を用いた水素センサ及び水素濃度測定方法

発明者： 吉村 和記
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-214728
公開番号（公開出願番号）：特開2004-053542
出願日： 2002年07月24日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

【課題】マグネシウム・ニッケル合金薄膜を用いた水素センサ及び水素濃度測定方法を提供する。【解決手段】マグネシウム・ニッケル合金薄膜を用いた水素センサ材料であって、(1)マグネシウム・ニッケル合金薄膜の組成がMgNix(0.1<x<0.6)である、(2)上記薄膜に接して触媒層が形成されている、(3)室温(20°C付近)で水素と反応して電気抵抗及び光学的性質が変化する、(4)上記電気抵抗又は光学的性質の変化に基づいて水素を検知する、ことを特徴とする水素センサ材料、当該水素センサ材料を用いた水素濃度の計測方法、及び水素の検知方法。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

マグネシウム・ニッケル合金薄膜を用いた水素センサ材料であって、 (1)マグネシウム・ニッケル合金薄膜の組成がMgNix(0.1<x<0.6)である、 (2)上記薄膜に接して触媒層が形成されている、 (3)室温(20°C付近)で水素と反応して電気抵抗及び光学的性質が変化する、 (4)上記電気抵抗又は光学的性質の変化に基づいて水素を検知する、 ことを特徴とする水素センサ材料。

IPC (3件)：

G01N27/12 ,  G01N21/59 ,  G01N21/75

FI (4件)：

G01N27/12 C ,  G01N27/12 B ,  G01N21/59 Z ,  G01N21/75 Z

Fターム (36件)：

2G046AA05 ,  2G046BA01 ,  2G046BA06 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BC09 ,  2G046BF05 ,  2G046BG04 ,  2G046BH02 ,  2G046BH03 ,  2G046DC13 ,  2G046EB01 ,  2G046FB00 ,  2G046FE20 ,  2G046FE25 ,  2G046FE29 ,  2G046FE31 ,  2G054AA01 ,  2G054CA04 ,  2G054EA04 ,  2G054EB01 ,  2G054GA05 ,  2G054GE06 ,  2G054GE07 ,  2G059AA01 ,  2G059BB01 ,  2G059CC20 ,  2G059DD12 ,  2G059DD13 ,  2G059EE01 ,  2G059GG01 ,  2G059GG02 ,  2G059HH02 ,  2G059HH06 ,  2G059KK10 ,  2G059MM01