特許

J-GLOBAL ID：200903065539391240

めっき方法

発明者： 伊藤 良法 ,  鈴木 郁生
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-325867
公開番号（公開出願番号）：特開2002-129385
出願日： 2000年10月25日
公開日（公表日）： 2002年05月09日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェハ等の被処理体の被成膜面に形成されているコンタクトホール等の凹部にめっき液を十分に行き渡らせ、埋込み性の良好な成膜を行うことのできるめっき方法を提供すること。【解決手段】 本発明のめっき方法は、被処理体Wの被成膜面に純水82等を付着させ、被処理体の成膜面に形成された凹部80の内面を純水82により濡らす第1ステップと、この第1ステップの後、被処理体の被成膜面が濡れた状態にて、被処理体をめっき液14に浸漬し電解めっき法により被処理体の被成膜面に銅膜を成膜する第2ステップとを含むことを特徴とする。このように、電解めっき処理の前処理として純水82を被処理体の被成膜面に付着させ、凹部80の内面を濡らすことで、めっき液が凹部に侵入しやすくなり、成膜不良を防止できる。

請求項（抜粋）：

被処理体の被成膜面に純水、めっき液、その他めっき液と混合した場合に当該めっき液の成分比を維持する液体を付着させ、前記被処理体の前記成膜面に形成された凹部の内面を前記液体により濡らす第1ステップと、前記第1ステップの後、前記被処理体の前記被成膜面が濡れた状態にて、前記被処理体をめっき液に浸漬し電解めっき法により前記被処理体の前記被成膜面に金属膜を成膜する第2ステップとを含むことを特徴とするめっき方法。

IPC (2件)：

C25D 7/12 ,  H01L 21/288

FI (2件)：

C25D 7/12 ,  H01L 21/288 E

Fターム (15件)：

4K024AA09 ,  4K024AB01 ,  4K024BA11 ,  4K024BB12 ,  4K024BC10 ,  4K024CA12 ,  4K024CB02 ,  4K024DA01 ,  4K024DA04 ,  4K024DA10 ,  4K024DB10 ,  4K024GA16 ,  4M104BB04 ,  4M104DD52 ,  4M104HH13