特許

J-GLOBAL ID：200903065542802022

圧電体積層構造体

発明者： 金子 典夫 ,  川崎 岳彦 ,  和田 隆亜 ,  野尻 英章 ,  倉島 玲伊 ,  赤池 正剛
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (4件)： 宮崎 昭夫 ,  金田 暢之 ,  伊藤 克博 ,  石橋 政幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-415069
公開番号（公開出願番号）：特開2004-221550
出願日： 2003年12月12日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：

【課題】圧電特性を改善し、かつ機械加工だけでなくフォトリソグラフィーによる微細加工を可能とする圧電体積層構造体を提供する。【解決手段】圧電体3の分極方向が逆になるように中間層4を介して圧電体3を配置した構造を基本単位とし、この基本単位を1単位以上積層する。これにより、圧電体3の分極方向が交互に反対になるため、中間層3を介した圧電体同士は交互に反対方向に変位することになり、変位も力も改善される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

圧電特性を備える圧電体を積層した積層体からなる圧電体積層構造体において、 前記積層体は、前記圧電体同士の界面に中間層を配置した積層体であり、前記中間層を介した前記圧電体同士は、互いにその分極方向が反対方向であることを特徴とする圧電体積層構造体。

IPC (8件)：

H01L41/09 ,  B32B7/02 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  H01L41/08 ,  H01L41/18 ,  H01L41/24 ,  H03H9/17

FI (9件)：

H01L41/08 C ,  B32B7/02 104 ,  H03H9/17 F ,  C04B35/00 J ,  C04B35/00 G ,  H01L41/22 A ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/08 L ,  H01L41/08 D

Fターム (43件)：

4F100AA18 ,  4F100AA25 ,  4F100AB12 ,  4F100AB24 ,  4F100AG00 ,  4F100AR00A ,  4F100AR00C ,  4F100AR00D ,  4F100AR00E ,  4F100AT00B ,  4F100BA03 ,  4F100BA04 ,  4F100BA05 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100BA10D ,  4F100BA10E ,  4F100BA25B ,  4F100EH71 ,  4F100EJ24 ,  4F100EJ48 ,  4F100GB41 ,  4F100JA20A ,  4F100JA20C ,  4F100JG01D ,  4F100JG01E ,  4F100JG10A ,  4F100JG10C ,  4F100JL01 ,  4G030AA02 ,  4G030AA07 ,  4G030AA16 ,  4G030AA17 ,  4G030AA20 ,  4G030AA32 ,  4G030AA40 ,  4G030AA43 ,  4G030AA51 ,  5J108BB07 ,  5J108CC04 ,  5J108CC11 ,  5J108CC13 ,  5J108KK01