特許

J-GLOBAL ID：200903065542874155

半導体装置の製造方法

発明者： 壇 徹 ,  海田 孝行 ,  米田 清
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-306183
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144730
出願日： 1991年11月21日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、例えば高いオン/オフ電流比を有するTFTを作製するために、デバイス作製が可能な程度にドーパント濃度が十分低く、なおかつ結晶粒径が十分に大きいノンドープ型多結晶シリコン膜を、低スループット及び基体熱損傷を引き起こさずに基体上に形成する方法を提供する。【構成】 ノンドープ型多結晶シリコン膜3aを形成する半導体装置の製造方法であって、基体1上にノンドープ型非晶質シリコン膜2を形成する工程と、前記ノンドープ型非晶質シリコン膜2の表面から所望の深さまでイオン注入を行い、前記ノンドープ型非晶質シリコン膜2の上層部を非晶質ドープ層2aに改質形成する工程と、前記非晶質シリコン膜2を多結晶化させて多結晶ドープ層3a及び多結晶ノンドープ層3bからなる多結晶シリコン膜3を形成する工程と、前記多結晶ドープ層3aを選択的に除去する工程と、を順次備えたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ノンドープ型多結晶シリコン膜を形成する半導体装置の製造方法であって、基体上にノンドープ型非晶質シリコン膜を形成する工程と、前記非晶質シリコン膜の表面から所望の深さまでイオン注入を行い、該非晶質シリコン膜の上層部を非晶質ドープ層に改質形成する工程と、前記非晶質シリコン膜を多結晶化させ多結晶ドープ層及び多結晶ノンドープ層からなる多結晶シリコン膜を形成する工程と、前記多結晶ドープ層を選択的に除去する工程と、を順次備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (3件)：

H01L 21/265 Q ,  H01L 21/265 P ,  H01L 29/78 311 Y