特許

J-GLOBAL ID：200903065551697924

半導体製造装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 野口 利彦
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-058951
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250819
出願日： 2000年03月03日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】 高温状態で放置しても支障を来さない気化器を有する半導体製造装置を得る。【解決手段】 装置コントローラの制御下で以下の制御を行う。ステップS2で成膜処理が終了したか否かを検出し、成膜処理を検出するとステップS3でタイマーが起動し、“0”からカウント時間の計時を開始する。ステップS5で、タイマのカウント時間(気化器の高温放置時間)が所定時間に達したか否かをチェックし、カウント時間が所定時間に達しているとステップS6に移行し、ステップS6において、気化器にダミー気化処理を強制的に実行させる。

請求項（抜粋）：

ソース液体材料を気化させて得られるソースガスを生成する気化器を有する気化部と、前記ソースガスを用いた反応処理によって半導体装置の製造プロセスが実行される反応室と、前記気化部を含む装置構成部を制御する制御部とを備え、前記制御部は、前記気化器が前記ソースガスを生成しない期間が継続して所定時間に達すると、前記気化器内の前記ソース液体材料を強制的に気化させる強制気化処理を実行させる、半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/448 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/448 ,  H01L 21/316 X

Fターム (24件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA42 ,  4K030EA01 ,  4K030KA41 ,  5F045AA03 ,  5F045AB32 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045BB20 ,  5F045EE02 ,  5F045EE06 ,  5F045EE07 ,  5F058BC02 ,  5F058BF02 ,  5F058BF25 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BG02 ,  5F058BG10