特許
J-GLOBAL ID：200903065554422837
誘電体キャパシタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-311152
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148528
出願日： 1995年11月29日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：
【要約】【課題】 強誘電キュリー温度が高く、高温においても大きな残留分極を保持可能であり、かつ下部電極の微細加工が可能な誘電体キャパシタを提供すること。【解決手段】 表面に六方晶系の(0001)面が現れている導電性基板と、この導電性基板上に(111)面方位にエピタキシャル成長したペロブスカイト型結晶構造を有する誘電体膜とを具備し、導電性基板表面の六方晶系のa軸の格子定数as (hcp)と、ペロブスカイト型結晶のa軸長で表される誘電体材料本来の格子定数ad とが下記式に示す関係を満たすことを特徴とする。1.002≦ad /(as (hcp)×21/2 )≦1.030
請求項（抜粋）：
表面に六方晶系の(0001)面が現れている導電性基板と、この導電性基板上に(111)面方位にエピタキシャル成長したペロブスカイト型結晶構造を有する誘電体膜とを具備し、前記導電性基板表面の六方晶系のa軸の格子定数as (hcp)と、前記ペロブスカイト型結晶のa軸長で表される前記誘電体材料本来の格子定数ad とが下記式に示す関係を満たすことを特徴とする誘電体キャパシタ。1.002≦ad /(as (hcp)×21/2 )≦1.030
IPC (9件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, C30B 29/06
, H01L 27/10 451
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/04 C
, C30B 29/06 C
, H01L 27/10 451
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
