赤外レーザ・プローブを用いて集積回路における電圧を直接測定する方法および装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-564060
公開番号（公開出願番号）：特表2002-522770
出願日： 1999年07月26日
公開日（公表日）： 2002年07月23日
要約：

【要約】半導体内に配置された集積回路(405)の能動領域(403)における電界を検出する方法および装置。一実施形態では、レーザ・ビーム(407)を、約0.9ミクロンよりも長い波長で動作させる。レーザ・ビームは、半導体基板の背面を通ってMOSトランジスタのドレインなどのP-N接合上に集束される。フリー・キャリア吸収の結果、レーザ・ビームは、P-N接合付近で部分的に吸収される。信号がP-N接合上に印加されるとき、フリー・キャリア吸収度が、P-N接合付近の空乏領域の変調に従って変調されることになる。レーザ・ビームは、P-N接合を通過し、接合の背後の酸化膜界面および金属から反射され、再びP-N接合を通って戻り、シリコン表面から出る。この反射レーザ・ビームの振幅変調が、光学検出システムで検出される。

請求項（抜粋）：

集積回路における信号を検出する手段であって、赤外光線を、集積回路の半導体基板の背面を通り、前記信号に応答して変化する集積回路の空乏領域を通って送るステップと、空乏領域を通り、半導体基板の背面を通過した反射赤外光線の振幅変調を検出するステップとを含む方法。

IPC (4件)：

G01R 31/302 , G01N 21/41 , G01R 1/06 , G01R 19/00

FI (4件)：

G01N 21/41 , G01R 1/06 F , G01R 19/00 V , G01R 31/28 L

Fターム (29件)：

2G011AA01 , 2G011AC03 , 2G011AE22 , 2G035AA08 , 2G035AA12 , 2G035AD28 , 2G035AD37 , 2G035AD38 , 2G035AD43 , 2G059AA10 , 2G059BB08 , 2G059EE01 , 2G059EE02 , 2G059EE17 , 2G059GG01 , 2G059GG08 , 2G059GG10 , 2G059HH01 , 2G059JJ02 , 2G059JJ07 , 2G059JJ11 , 2G059JJ22 , 2G059JJ30 , 2G059KK01 , 2G059KK04 , 2G132AA00 , 2G132AE14 , 2G132AF14 , 2G132AL11

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開昭63-259446
特開昭63-259446
電荷光学プローブ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-164423 出願人：株式会社アドバンテスト

全件表示

前のページに戻る