特許
J-GLOBAL ID：200903065557959165
シリコン単結晶引上装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小杉 佳男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-248984
公開番号（公開出願番号）：特開平5-085876
出願日： 1991年09月27日
公開日（公表日）： 1993年04月06日
要約：
【要約】【目的】本発明はチョクラルスキー法によるシリコン単結晶引上装置に関し、酸素濃度を高める。【構成】溶融液面に浮遊する石英板を備えた。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法によるシリコン単結晶引上装置において、溶融液面に浮遊する石英板を備えたことを特徴とするシリコン単結晶引上装置。
IPC (2件)：
C30B 15/00
, C30B 29/06 502
