特許
J-GLOBAL ID：200903065558295236
薄膜多層配線基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-020097
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218646
出願日： 1992年02月05日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 配線層の厚さの制御が容易な薄膜多層配線基板の製造方法を提供する。【構成】 導体パターン2の形成された絶縁基板1に被着された絶縁層3にヴィアホール4を形成し、絶縁層上面及びヴィアホール内部に保護層6を形成し、その上に銅導体層7を配線層に必要な厚みだけ形成し、その上に銅エッチングによってエッチングされない金属層8を形成し、その後ヴィアホール埋め込みのため電解銅めっき9を行い表面を平坦化し、しかる後、金属層8が露出するまで銅エッチングを行い、導体パターンを形成するための配線層を形成する。
請求項（抜粋）：
導体パターンの形成された絶縁基板に被着された絶縁層にヴィアホールを形成し、絶縁層上面及びヴィアホール内部に保護層を形成し、その上に銅導体層を配線層に必要な厚みだけ形成し、その上に銅エッチングによってエッチングされない金属層を形成し、その後ヴィアホール埋め込みのため電解銅めっきを行い表面を平坦化し、しかる後、金属層が露出するまで銅エッチングを行い、導体パターンを形成するための配線層を形成することを特徴とする薄膜多層配線基板の製造方法。
引用特許：
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