特許

J-GLOBAL ID：200903065565512706

電子素子およびその製造方法ならびに誘電体キャパシタおよびその製造方法ならびに光学素子およびその製造方法

発明者： 文 範基
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-031012
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233723
出願日： 1998年02月13日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】 機能性酸化膜あるいは誘電体膜の特性を十分に発揮することができる電子素子およびその製造方法ならびに誘電体キャパシタおよびその製造方法ならびに光学素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 下部電極としてTaN膜3を成膜した後、300〜350°Cの温度でオゾンアニールを行うことによりその表面を酸化して膜厚が5〜10nmのTa-O-N膜4を形成する。このTa-O-N膜4上にTa2 O5 膜5を成膜し、さらに300〜500°Cの温度でオゾンアニールを行ってTa2 O5 膜5の絶縁特性を改善した後、上部電極としてAl電極6を形成してMIM型誘電体キャパシタを形成する。

請求項（抜粋）：

TaNを主成分とする材料からなる導電層と、上記導電層上の少なくともTaとNとを含む酸化膜と、上記少なくともTaとNとを含む酸化膜上の機能性酸化膜とを有することを特徴とする電子素子。

IPC (10件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01G 4/33 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 37/02 ,  H01L 39/02 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA ,  H01L 41/09

FI (8件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 21/316 M ,  H01L 37/02 ,  H01L 39/02 ZAA D ,  H01L 39/24 ZAA D ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 41/08 L