間隔検出方法及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高梨幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-059751
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226215
出願日： 1992年02月14日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】マスクとウエハとの面間隔の絶対値を高精度に測定することができる間隔測定装置及びそれを用いた半導体チップの製造方法を得ること。【構成】対向配置した第1物体と第2物体の該第1物体面に光源手段からの光束を照射し、このうち該第1物体面上の収束作用を有する物理光学素子と該第2物体とによって偏向された第1光束の該第1受光面上への入射位置を第1検出手段で検出し、該第1物体面上の発散作用を有する物理光学素子と該第2物体とによって偏向された第2光束の該第2受光面上への入射位置を第2検出手段で検出し、該第1検出手段と第2検出手段からの信号を利用して該第1物体と第2物体との面間隔を求めたこと。

請求項（抜粋）：

光学的パワーを備える第1、第2パターンが形成された第1物体の表面と、第2物体の表面の面間隔を検出する方法であって、前記第2物体上に互いに異なる方向から第1、第2の光束を斜入射させ、前記第2物体の表面で反射した前記第1光束を前記第1パターンにより集光及び偏向せしめて検出平面上に向け、前記第2物体の表面で反射した前記第2光束を前記第2パターンにより集光及び偏向せしめて前記検出平面上に向け、前記検出平面上の前記第1、第2光束の入射位置間の間隔を検出するものにおいて、前記第1物体に前記第1、第2パターンに隣接させて光学的パワーを備える第3、第4のパターンを形成し、前記第2物体上に互いに異なる方向から第3、第4の光束を斜入射させ、前記第2物体の表面で反射した前記第3光束を前記第3パターンにより発散及び偏向せしめて検出平面上に向け、前記第2物体の表面で反射した前記第4光束を前記第4パターンにより発散及び偏向せしめて前記検出平面上に向け、前記検出平面上の前記第3、第4光束の入射位置間の間隔を検出するようにし、前記検出平面上の前記第3、第4光束の入射位置間の間隔と前記検出平面上の前記第1、第2光束の入射位置間の間隔とが一致する際の間隔値を第1、第2物体の面間隔を検出する為の基準にし、前記第1、第2光束の入射位置間の間隔及び前記第3、第4光束の入射位置間の間隔の少なくとも一方を使って第1、第2物体の面間隔を検出することを特徴とする間隔検出方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 9/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭61-269119
特開平3-060355
特開昭61-269119

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