特許

J-GLOBAL ID：200903065575573177

NH4系CMP廃液の処理方法

発明者： 山田 登 ,  榎本 俊
出願人/特許権者： 栗田工業株式会社
代理人 (1件)： 柳原 成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-272713
公開番号（公開出願番号）：特開平10-118665
出願日： 1996年10月15日
公開日（公表日）： 1998年05月12日
要約：

【要約】【課題】 アンモニア水溶液にSiO2微粒子が懸濁したCMP(Chemical Mechanical Polishing)廃液を処理するに際し、脱水性および剥離性に優れ、しかもろ布の目詰りも起こしにくい大形のフロックを形成させる。【解決手段】 半導体製造工程の研磨工程などから排出されるNH4系CMP廃液を第1凝集槽1に導入し、カチオン系高分子凝集剤7を添加して攪拌機9により急速攪拌して反応させ、第1の凝集処理を行う。第2凝集槽2では無機系凝集剤10を添加し、攪拌機12により急速攪拌して反応させ、第2の凝集処理を行う。フロック形成槽3では攪拌機13により緩速攪拌してフロックを生長させ、大形のフロックを形成させる。沈殿槽4で固液分離した分離液は処理水として系外に排出し、分離汚泥は脱水装置5で脱水処理する。

請求項（抜粋）：

アンモニアを含むCMP廃液にカチオン系高分子凝集剤を添加し攪拌して第1の凝集処理を行った後、無機系凝集剤を添加し攪拌して第2の凝集処理を行い、フロックを形成させることを特徴とするNH4系CMP廃液の処理方法。

IPC (6件)：

C02F 1/60 ,  B01D 21/01 102 ,  B01D 21/01 107 ,  C02F 1/52 ,  C02F 1/56 ,  C02F 1/58 CDJ

FI (6件)：

C02F 1/60 ,  B01D 21/01 102 ,  B01D 21/01 107 A ,  C02F 1/52 K ,  C02F 1/56 K ,  C02F 1/58 CDJ P