特許

J-GLOBAL ID：200903065589147715

アッシング方法

発明者： 佐藤 仁昭 ,  金清 任光 ,  光田 明彦 ,  清水 文男 ,  武居 秀則 ,  縄田 誠
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-046822
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263410
出願日： 1994年03月17日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】バリアメタル、下地絶縁膜に対し反応性の無いガスを使用し、加工形状に影響を与えることなく、高い防食性を有するアッシング方法。【構成】図1に示す装置により、酸素+アルゴン+水素ガスによりバリアメタル17、下地絶縁膜18に影響を与えることなくアッシングを行う。

請求項（抜粋）：

半導体装置を処理する処理室、該処理室に処理ガスを流量制御し導入する機構、前記処理室を所定の真空圧に制御出来、且つプラズマ発生機構を有する半導体製造装置において、前記処理ガスとして酸素、水素、不活性ガス(He,Ar,Xe)を使用することを特徴とするアッシング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/302 H ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-077125
  
• 特開平4-087322
  
• 特開平3-068710