特許
J-GLOBAL ID：200903065589770862
太陽電池パネルの仕上加工法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
綿貫 達雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-110254
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314106
出願日： 2001年04月09日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：
【要約】【課題】 乾式法により簡単に表側電極層と裏側電極層との間の短絡を除去することのできる太陽電池パネルの仕上げ加工法を提供する。【解決手段】 ガラス基板1に層着されている表側電極層2にa-Si層6を介して裏側電極層7を積層したa-Si型太陽電池パネルにおいて、裏側電極層7を形成後に、表側電極層2の端縁部分をリード接続部として残して、裏側電極層7とa-Si層6の端縁部分を剥除することにより、両電極層間の短絡を除去する。また、裏側に裏側電極層が層着されているSi基板上にドーピング層と表側電極層とが形成された結晶Si型太陽電池パネルにおいては、上記した方法によりドーピング層の端縁部分を剥除することにより、ドーピング層による両電極層間の短絡を除去する。
請求項（抜粋）：
一方の電極層が層着されている基板に所要の薄膜層を介して他方の電極層を積層した太陽電池パネルを製造する工程において、他方の電極層を形成後にパネル端縁を圧縮空気による微細な砥粒の吹き付けによって剥除することにより、両電極層間の短絡を除去するようにしたことを特徴とする太陽電池パネルの仕上加工法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 S
, H01L 31/04 C
5F051AA02
, 5F051AA03
, 5F051AA05
, 5F051BA11
, 5F051CB30
, 5F051EA20
