特許
J-GLOBAL ID：200903065599910689
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-282404
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112221
出願日： 1992年09月28日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置のソース・ドレイン部のコンタクト内の配線のカバレッジを向上する。【構成】 ソース・ドレイン領域の上に、Ti5,W6などの高融点金属からなる台座をゲート電極の高さと同じになるように形成する。ソース・ドレイン領域の上に高融点金属からなる3台座を形成したことにより、ソース・ドレイン部とゲート電極部のコンタクト孔の深さが同一となり、コンタクトのドライエッチング条件が容易となり、かつソース・ドレイン部のコンタクトのカバレッジが向上する。
請求項（抜粋）：
MOS型半導体装置のソース或いはドレインと電気的接続をとるコンタクト部を有する半導体装置であって、コンタクト部は、高融点金属からなる台座を含むものであり、台座は、ソース・ドレイン上にゲート電極と同じ高さに形成され、ゲート電極のコンタクト孔とソース或いはドレインのコンタクト孔の深さを同じに設定するものであることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/90
