特許

J-GLOBAL ID：200903065600205722

薄膜トランジスタおよびそれを用いた表示装置

発明者： 西尾 幹夫
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-187704
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007718
出願日： 2001年06月21日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】 水素化処理におけるチャネル領域やソース・ドレイン領域の欠陥の水素終端において、ゲート絶縁膜中の水素濃度向上により固定電荷増加に伴う閾値電圧の変動が発生する。【解決手段】 ソース・ドレイン領域に接するアンダーコート中の水素濃度をチャネル領域に接するアンダーコート中の水素濃度よりも高くすることで、ソース・ドレイン領域の水素終端効果を向上するとともに、ゲート絶縁膜への水素供給を最小限に抑える。

請求項（抜粋）：

基板の一主面において、絶縁膜であるアンダーコートと、前記アンダーコート上に設けられたチャネル領域と前記チャネル領域の両側に設けられたソース領域およびドレイン領域と、ゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを備え、前記アンダーコートの前記チャネル領域に隣接する領域中の水素濃度が前記ソース領域およびドレイン領域に隣接する領域中の水素濃度よりも低いことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (7件)：

H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  G09F 9/35 ,  H01L 21/322 ,  H01L 29/786

FI (7件)：

G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  G09F 9/35 ,  H01L 21/322 Z ,  H01L 29/78 627 E ,  H01L 29/78 626 C

Fターム (54件)：

2H092JA24 ,  2H092JB56 ,  2H092MA27 ,  2H092NA21 ,  2H092PA02 ,  2H092PA11 ,  2H092PA13 ,  5C094AA13 ,  5C094AA25 ,  5C094AA31 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094CA24 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EA07 ,  5C094EB02 ,  5C094ED03 ,  5C094ED20 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110AA19 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD30 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25