特許

J-GLOBAL ID：200903065604231329

半導体装置の製造方法

発明者： 高橋 正志
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-101029
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289292
出願日： 1996年04月23日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】【課題】 製造プロセスにおける電極表面の凹凸の形状の変化を抑えて、キャパシタの表面積の増大を図り得る半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置の製造方法において、層間絶縁膜2を形成する工程と、セルコンタクト3を形成する工程と、第1のポリシリコン膜4を形成する工程と、このポリシリコン膜4に不純物を拡散する工程と、表面に凹凸を有する粗面ポリシリコン膜5を形成する工程と、前記第1のポリシリコン膜4より前記表面に凹凸を有するポリシリコン膜5へ不純物を拡散する工程を順に施す。

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造方法において、(a)層間絶縁膜を形成する工程と、(b)セルコンタクトを形成する工程と、(c)第1のポリシリコン膜を形成する工程と、(d)該第1のポリシリコン膜に不純物を拡散する工程と、(e)表面に凹凸を有するポリシリコン膜を形成する工程と、(f)前記第1のポリシリコン膜より前記表面に凹凸を有するポリシリコン膜へ不純物を拡散する工程を順に施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 Z